UVLEDの二重ブレークスルー:効率と波長の革命的飛躍
紫外線殺菌技術の継続的な革新により、UVLED業界は2つの重要な技術的ブレークスルーを迎えました。日亜化学とBUVはそれぞれ、量子効率とコア殺菌帯に切り込み、UVLED技術を新たな高みへと押し上げ、業界の発展に強力な勢いを注入しています。
日亜化学は最近、深紫外線LED製品NCSU434Dが大きなブレークスルーを達成したと発表しました。入力電流350mAにおいて、製品の放射束は135mWに達し、外部量子効率(EQE)は7.4%に向上し、業界記録を樹立しました。これは3年前と比較して約2.5倍の効率です。外部量子効率の大幅な向上により、NCSU434Dはエネルギー効率に優れています。同じ入力電力で紫外線の放射出力を大幅に増加できるだけでなく、同じ紫外線出力を維持しながら入力電力を削減することも可能です。同時に、紫外線放射方法を最適化し、LEDの小型化と放射分布の利点を組み合わせることで、紫外線利用率がさらに向上しています。電力パラメータの面では、NCSU434Dは従来の434シリーズの最大順方向電流を500mAから700mAに増加させ、シングルパッケージの最大出力電力を191mW(500mA時)から263mW(700mA時)に増加させ、医療、産業などの分野における高出力深紫外線光のニーズに対応できます。より高い出力とエネルギー効率は、世界のカーボンニュートラル目標にも合致しており、大規模な殺菌および硬化シナリオにおける機器運転からの炭素排出量を削減し、水や空気の消毒、塗料硬化などの分野で従来の水銀ランプを置き換えることが期待されています。
コア殺菌帯技術の面では、BUVの研究開発チームが重要な進歩を遂げました。従来の水銀ランプは主に254nmまたは313nmの紫外線に基づいていますが、これらは微生物の核酸吸収に最適な帯域ではありません。現在の市場の主流の紫外線LEDは、主に275nmの波長を使用しています。殺菌効果は水銀ランプよりもわずかに優れていますが、技術的な難易度と歩留まりが効率の向上を制限しています。優れた信頼性と高光効率のV1バージョンチップProパッケージング技術に基づいて、BUVは深紫外線エピタキシャル技術の最適化、チッププロセスの再構築、構造設計の改善を通じて、265nmコア殺菌帯デバイスの量産に成功し、「ピーク殺菌帯」の概念を提唱しました。265nmの波長では、病原体の紫外線に対する吸収係数がピークに達します。他の波長UVデバイスと比較して、同じ電流、輝度、紫外線線量条件下で、より多くの種類の病原体を殺すことができ、殺菌効率の質的ブレークスルーを達成できます。V1ProシリーズのProパッケージング技術に依存して、デバイスの光効率、信頼性、安定性が同時に向上しています。
日亜化学とBUVの技術的ブレークスルーは、量子効率とコア殺菌帯において従来の技術を超えただけでなく、エネルギー効率や応用分野の拡大など、複数の側面からUVLED業界の発展に新たな可能性をもたらしました。業界の状況を再構築し、UVLED技術の継続的な進歩をリードすることが期待されています。
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