会社のニュース 半導体製造におけるUVリソグラフィーのブレークスルーと課題

半導体 製造 の 中 で の UV リトグラフィ の 突破 と 課題

集積回路技術の継続的な進歩により,より小さい寸法と超高解像度を追求することがますます緊急になっています.伝統的な光石刻画技術では,小型化というますます厳しい課題に 立ち向かえることが困難になりましたこれらの課題に対処するために,超高解像度により172nmUVリトグラフィーは有望な技術として登場しました.この技術は 多重曝露と高度なマスクの 二重の利点を組み合わせています統合回路設計に新しい解決策をもたらし,超高解像度の新しい時代へと進むのを助けます.

半導体製造における重要なステップである紫外線リトグラフィーは 紫外線を使って 光抵抗体に 精密に回路パターンを投影します化学反応によって 必要なパターンを作り出しますミニチュア化の課題が増えるにつれて,伝統的な248nmと193nmリトグラフィー技術はますます不十分になっています.しかし,172nmリトグラフィーは,波長が短く,解像度が非常に高い極紫外線リトグラフィー (EUV) 技術の理想的な代替品になりました.その172nm紫外線波長は,より細かいパターン詳細とノードサイズをさらに削減することを可能にします.半導体製造技術の進歩を大幅に促進する172nmリトグラフィー技術により 波長が短くなって より細かいパターンの詳細が 得られ テクノロジーの進歩を促します

複数の曝光技術 (multi-exposure technology) は,多重曝光で同じ領域を繰り返しパターン化することで,光立体学における解像度のボトルネックに対処する重要なアプローチです.解像度とパターン精度の両方を向上させる172nm UVリトグラフィーの分野では,マルチ曝光技術が以下の方法によって実施できます.

マルチパターニングは,複数のパスを実行することで解像度を向上させる.一般的な方法には,サブ解像度とダブルパターニングが含まれます.
サブ解像度支援機能 (SRAF): サブ解像度支援機能は,設計パターンを複数の照明ゾーンに分割します.注意深く設計された支援機能を使用して,光学効果によるパターンの歪みを効果的に克服するこの方法により,各暴露後に明確で一貫したパターンが確保されます.

フェーズシフトマスク (PSM):マスクのフェーズを正確に調整することで,投射された光の波面が変化し,解像度を向上させ, difraktion効果を軽減します.複数のパターンのプロセス中に,PSMは,光波一貫性によって引き起こされるパターン偏差を著しく減らす.ダブルパターニング (DP):複雑なパターンは2つの独立した構成要素に分解され,異なるタイミングで2つの曝光によって完成しますダブルパターニングは,リトグラフィーの解像度に対する制約を緩和しながら,パターンの精度を大幅に向上させます.

しかし,この技術組み合わせには多くの課題もあります.生産の複雑さと高コストが主な課題です.
多重パターン技術導入は 間違いなく 生産の複雑さを高め 光抵抗装置 マスクや光源を含む すべてのステップを 精密に制御する必要があります先進的なマスク技術も比較的高価ですマスクの製造設備と技術支援が高度に洗練されていて,これは間違いなく総生産コストを高めます
概要すると,172nm UVリトグラフィーの統合と複数のパターンと 先進的なマスク技術が 半導体製造における超高解像度における突破をもたらしましたこの革新的な組み合わせは 細かいパターンと解像度だけでなく統合回路の全体的な性能と安定性も向上させています. 現在の設計と生産の課題にもかかわらず,技術の継続的な進歩により,半導体産業はより小さなサイズとより高い統合密度へと大きく推し進めるでしょう.