会社のニュース 紫外線発光ダイオード（UV LED）の発光効率における重要な進歩

紫外線発光ダイオード (UVLED) の 光効率の重要な進歩

材料の結晶質を向上させ 新しい活性領域の量子井戸構造を設計し伝統的なLED装置構造に光倍数変換器を単一的に統合する半導体深紫外LED (DUVLED) の電光変換効率は,波長280nmのLEDの20%以上に増加しました.

紫外線LEDは,水銀ランプの環境にやさしく,省エネの代替品です.この装置は,小さいサイズと長い寿命で知られています.アルミガリウムナイトリド (AlGaN) の量子井戸のアルミ含有量を変化させることで広帯状半導体材料であるUVLEDは,210nmから360nmのスペクトル範囲をカバーすることができます.上記のアプリケーションでは,水銀ランプの置き換えに加えて,紫外線LEDは,小さいサイズのために他のアプリケーションでも使用できます.市場調査と分析によると,これらの製品には,紫外線LEDの市場規模は,2019年の5億米ドルから2023年には10億米ドルに拡大するさらに高くなってきます

効率の向上のために様々な革新的なアプローチをとることが可能だと研究が示しました 主に以下を挙げますn型とp型ドーピング効率を向上させ,電流注入効率を向上させる導電フィルムを形成する光の抽出効率と変換効率を向上させる装置構造の設計,および活性発光領域におけるAlGaNベースの量子井戸と障壁の使用.

UVLEDのヘテロ構造を 低コストの透明な基質であるサファイアに育てました 単結晶のALN基質は 高すぎるので 避けてみましたサファイア の 欠点 は,ナイトライド と 格子 と 熱 膨張 の 不一致 です.この問題に対処するために,この問題は,表面にピラミッド構造を持つ模様のあるサファイア基板に変えて 横向の過剰成長を用いて高品質のALNフィルムをX線 difraktionの半幅の揺れ曲線を基に,我々はフィルムの外位密度が 3 x 108cm 2未満であると結論付けました. さらに,我々は相互空間テストを実行,エピレイヤのストレスは完全に解放されたことが示されましたこの研究結果に基づいてUVLEDの活性領域における非放射性再結合を抑制し 最終的にはこれらの装置の放射性再結合効率を向上させることが知られています.